单面抛光机是指采用化学机械抛光方法，对300m双面抛光硅片的正向建行再次抛光，以降低硅片表面的微粗糙度和雾状(Haze)缺陷的工艺设备。30mm硅片经过双面抛光后，由于仍然存在表面损伤缺陷，以及上道工字形成的表面活污，在显微镜下观看，好像存在一层雾状组织，这会影响后续外延工艺质量或器件性能质量，因此需要通过再次精细抛光，*限度地减小零状缺陷，所以单面抛光也称为雾抛光( Haze Polishing)。300mm 硅片经过单面抛光后，后续的制造工艺不再有机械性质的加工过程，所以单面抛光机也称为最终抛光机。

在加工去除原理上，单面抛光的去除原理与硅片抛光机的工作原理相同。由于单面抛光是精细抛光，抛光液需采用精细磨料以形成适度的去除率，相应的抛光工艺- -般采用多次抛光，所以单面抛光机般采用两个或三个串行抛光流程结构。它可实现粗抛一精抛一精细抛的效果，图中箭头所示方向为硅片抛光流程的工艺位置顺序。

另外，考虑到硅片表面污染及抛光去除形成的硅片面型精度要求，单面抛光机的抛光液是开放性的，不可回收再利用。同时，考虑到抛光垫去除作用的影响及抛光液在抛光垫上的分布等因素，单面抛光机理论上采取单片/单台(单硅片、单抛光台)结构方式(类似CMP设备方式)，在单面抛光过程中，硅片利用真空吸附并夹持在保持环内，随着抛光头做旋转运动和往复摆动运动。抛光头施压机构形成压力，使硅片与抛光垫压紧，抛光垫随抛光台做旋转运动，硅片与抛光垫形成相对运动，产生机械摩擦，从而形成去除作用。微光垫修整器对毛刷盘施加一定的压力井做旋转和往复摆动运动，对抛光垫进行自厢性修正，从而保持推光垫的摩擦去除性能。

由于单面抛光工艺中的抛光液是开放性的，所以单面抛光的成本较高。为了提高抛光液的利用率，同时考虑到提高单面抛光机设备的加工效率，单面抛光机般采用双头/单台(双硅片、单抛光台)结构方式，以抛光台数量来分类，单面抛光机可分为单台单面抛光机、双台单面抛光机和三台单面抛光机。早期的单台单面抛光机采用多头(一般为4头)抛光结构，可明显提高生产效率、降低生产成本，但为了实现粗抛、精抛、精细抛等自动过程，需要集成自动化硅片传输装置，将两台以上的单台单面抛光机联接起来使用。随着30m硅片被应用到65m以下节点的先进集成电路制造中，对硅片质量的要求越来越高，所以市场上主要以三台单面抛光机为主流设备。

单面抛光机的另一种 分类方式是依抛光头运动轨迹来划分，可分为旋转式和直线式两种。旋转式单面抛光机的所有抛光头、抛光台均环绕中心转轴布局，抛光头( 图中仅标注了抛光头1)通过中心轴的旋转分度，运动到所需工位的抛光台对硅片进行抛光。旋转式单面抛光机结构较为紧凑。为了提高单面抛光机的生产效率，按照当前技术现状，三台抛光机结构同时有6个抛光头参与抛光，加之有另外2个抛光头参与硅片装载与卸载，这样的单面抛光机就有8个抛光头，因此三台/八头抛光机是30m硅片单面抛光机的主流设备。而直线式单面抛光机受硅片装载、卸载的制约，只能设计成双台/四头结构，设备效率较低。